什么是晶体管?晶体管
关于晶体管ON时的逆向电流
![关于晶体管ON时的逆向电流](/documents/11413/4870353/tr_what3_cn+%281%29.png/9bbb7647-ae10-48fe-8860-0d6278c9bafc?t=1495591427507)
在NPN晶体管中,基极 (B) 被偏置为正,集电极 (C) 被偏置为负,由发射极 (E) 流向C的是逆电流。
1. 不用担心劣化和损坏,在使用上是没有问题的
2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。
也就是说,逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。
![通常动作 / 逆向动作](/documents/11413/4870353/tr_what3_cn_img01.gif/78d81795-a821-c1c9-4c4c-7160b97c10f8?t=1519282695577)
3. 逆向晶体管有如下特点。
- hFE低(正向约10%以下)
- 耐压低 (7 to 8V 与VEBO一样低)
↑通用TR的情况,除此之外,还有5V以下
(突破此耐压范围,会发生hFE低下等特性的劣化,请注意。) - VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化
关于封装功率容许功
定义:是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时,结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj=150°C)时的功率。
![計算方法](/documents/11413/4870353/tr_what3_cn+%284%29.png/fbf17944-5256-4a1d-82e5-d63341bd5a83?t=1495591428837)
这里,PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出,但是只有Tj不能直接得出。因此,如下列出使用VBE的测试方法。
VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压:VBE根据温度变化。
![图1. 热电阻测量电路](/documents/11401/4912227/tr_what3_jp+%285%29.png/84d650cb-9a03-4e6b-bd11-fcfcf8248a43?t=1498163916950)
由此,通过测定VBE,可以推测结温。
通过图1的测定电路,对晶体管输入封装功率:PC(max)。
(假设1W晶体管的情况下,输入条件为VCB=10V IE=100mA)
如图2:
- 测定VBE的初始值VBE1
- 对晶体管输入功率,使PN结热饱和
- VBE的后续值:测定VBE2
从这个结果得出△VBE=VBE2-VBE1。
这里,硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mV/ºC。
(达林顿晶体管为ー4.4mV/ºC)
因此,根据由输入功率得出△VBE,可以由以下算式得出上升的结温。
![图2. 进度表](/documents/11413/4870353/tr_what3_cn+%286%29.png/71c6563e-2560-4532-9023-c557699b56b3?t=1495591429497)
fT:增益带宽积、截止频率
fT:增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。
所谓极限,即基极电流对集电极电流的比为1(即hFE=1)的情况。
![频率特性](/documents/11413/4870353/tr_what3_cn+%287%29.png/81676717-f949-418f-8704-6ff38f550f32?t=1495591429987)
提高基极输入频率,hFE变低。
这时,hFE为1时的频率叫做fT(增益带宽积)。
fT指在该频率下能够工作的极限值。
但是,实际使用时能够动作的只有fT值的1/5 to 1/10左右。
测定条件如下
f: 根据测定装置而定。为测定的标准频率。
VCE:任意设定。我公司为一般值。
IC:任意设定。我公司为一般值。
![活用Si(硅)功率器件特征的应用事例](/documents/11413/9019411/Co_download09_CN_img.webp/a3eb6cc1-37ac-57b7-306f-9e53a29a3978?t=1705975686487)