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导通电阻

 

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何谓导通电阻?

MOSFET工作(启动)时,漏极和源极间的阻值称为导通电阻 (RDS(ON))。
数值越小,工作时的损耗(功率损耗)越小。

关于导通电阻的电气特性

晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 (VCE(sat)) 乘以集电极电流(IC)表示。

(集电极损耗PC))=(集电极饱和电压VCE(sat) )x(集电极电流IC
MOSFET的消耗功率是用漏极源极间导通电阻 (RDS(ON)) 计算。
MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的导通电阻乘以漏极电流(ID)的平方表示。
(功率PD)=(导通电阻RDS(ON) ) x (漏极电流ID2
此功率将变成热量散发出去。
MOSFET的导通电阻一般在Ω极以下,与一般的晶体管相比,消耗功率小。即发热小,散热对策简单。

导通电阻-栅极源极间电压特性、导通电阻-结温特性

如左上图所示,栅极源极间电压越高,导通电阻越小。另外,栅极源极间电压相同的条件下,导通电阻因电流不同而不同。计算功率损耗时,需要考虑栅极源极间电压和漏极电流,选择适合的导通电阻。
另外,如右上图所示,导通电阻因温度变化而变化,因此需要注意这一特性。

导通电阻比较

一般MOSFET的芯片尺寸(表面面积)越大,导通电阻越小。
下图显示了不同尺寸的小型封装条件下,罗姆最小导通电阻值的比较。
封装尺寸越大可搭载的芯片尺寸就越大,因此导通电阻越小。
罗姆针对各种不同的封装尺寸,备有低导通电阻的产品。
选择更大尺寸的封装,导通电阻会更小。

各封装尺寸的导通电阻值比较

各封装的搜索页请点这里

DFN0604 (0.6x0.6mm)

DFN1006 (1.0x0.6mm)

DFN2020 (2.0x2.0mm)

MOSFET至产品详细网页

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